半導電纜屏蔽電阻率測量方法是怎樣的?
應從長度150 mm的成品電纜試樣上制備每個試件。應將絕緣線芯試樣沿縱向對半切開,除去導體及隔離層(如果有)以制備導體屏蔽試件[見圖D.1a)].應將絕緣線芯外所有包覆層除去以制備絕緣屏蔽試件[見圖D.1b)]。
屏蔽的體積電阻率的測定步驟應如下:應將四只涂銀電極A.B、C和D(見圖D.1a)和圖D.1b) )置于半導電層表面。兩個電位電極B和C應間距50mm。兩個電流電極A和D應分別放置在每個電位電極外側至少25mm處。應采用合適的夾子連接電極。連接導體屏蔽電極時,應確保夾子與試件外表面的絕緣屏蔽相互絕緣。
應將組裝好的試樣放人已經預熱到規(guī)定溫度的烘箱內,至少放置30min后,用功率不超過100mW的測量電路測量兩個電位電極間的電阻。電阻測量后,應在環(huán)境溫度下測量導體屏蔽和絕緣屏蔽的外徑,以及測量導體屏蔽層和絕緣屏蔽層的厚度,每個數(shù)據(jù)取圖D.1b)所示試樣上六個測量值的平均值。體積電阻率ρ(用Q. m表示)應按下式計算:a)導體屏蔽0c =R.XπX(D。- - T.)XT。2L。
式中:體積電阻率,單位為歐姆米(n. m);R。--測量電阻,單位為歐姆(n);L。一電位電極間距離,單位為米(m);D.-導 體屏蔽外徑,單位為米(m);T.-導體屏蔽平均厚度,單位為米(m)。
b) 絕緣屏蔽R;XπX(D;- T;)XT;PL:式中:體積電阻率,單位為歐姆米(n.m);測量電阻,單位為歐姆(0);L;一--電位電極間距離,單位為米(m);絕緣屏蔽外徑,單位為米(m);絕緣屏蔽平均厚度,單位為米(m)。
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